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高性能高集成度TD-SCDMA模拟基带集成电路

浏览: 作者: 来源: 时间:2023-12-13 分类:
高性能高集成度TD-SCDMA模拟基带集成电路

作为中国原创技术,与WCDMA及CDMA2000并列的第三代移动通信标准——TD-SCDMA技术已步入实用化阶段。随着TD-SCDMA产业联盟的成立和发展,以产业联盟为核心的覆盖集成电路、设备、系统、终端和科研的产业链已基本形成。随着TD-SCDMA试验网在北京、成都、重庆三地开通和现场测试的开展,对TD-SCDMA的发展已无多少悬念。然而TD-SCDMA的各种技术优势并不能够解决其技术形成晚的问题,国内的TD-SCDMA的产业化和商业化均无法与WCDMA和CDMA2000相比,特别是在集成电路研发方面。

TD-SCDMA手机终端的核心由射频(RFIC)、模拟基带(ABB)和数字基带(DBB)组成。现今手机通常采用双芯片解决方案,即射频芯片和基带芯片。前者涵盖了射频接收、发射、频率合成和功率放大等功能,后者则包含了模拟基带和数字基带功能,分别实现信号处理和协议处理。现在独立的ABB芯片已不多见,如Maxim公司的MAX19700。但在产业化初期阶段,研发TD-SCDMA专用的ABB芯片仍然有意义。

出自:电子工程专辑

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