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【光电】专业术语对照表

浏览: 作者:都城亿光EVERSTARS 来源: 时间:2022-11-11 分类:应用手册
大类别符号英文全称中文全称单位描述电参数VFForwardVoltage正向电压VLED的正向导通电压(注一般认为IF=20mA时LED完全导通)IFForwardCurrent正向电流mAALED工作时允许通过的最大直流电流IFPPeakForwardCurrent峰值电流mAALED工作时允许通过的脉冲电流ForwardCurrentPulsedSurgeForwardCurrentVRReverseVoltage反向电压VLED能承受的反向电压,电压超过该值后,LED有损坏的风险PDPowerDissipation耗散功率mVLED消耗的电功率IRReverseCurrent反向电流nA当给LED施加反向电压时,LED产生的电流,该电流越小越好,理想二极管该值为零CjJunctionCapacitance节电容pF二极管的PN节之间产生的寄生电容的强度,会影响到LED的导通和关闭时间IDReverseDarkCurrent光敏二极管暗电流nA在没有光照的条件下,给光敏二极管加上反向电压,此时光敏二极管产生的电流VOOpen-CircuitVoltage光敏二极管开路电压mV在有足

大类别符号英文全称中文全称单位描述
电参数VFForward Voltage正向电压VLED的正向导通电压(注:一般认为IF=20mA时LED完全导通)
IFForward Current正向电流mA/ALED工作时允许通过的最大直流电流
IFPPeak Forward Current峰值电流mA/ALED工作时允许通过的脉冲电流
Forward   Current Pulsed
Surge   Forward Current
VRReverse Voltage反向电压VLED能承受的反向电压,电压超过该值后,LED有损坏的风险
PDPower Dissipation耗散功率mVLED消耗的电功率
IRReverse Current反向电流nA当给LED施加反向电压时,LED产生的电流,该电流越小越好,理想二极管该值为零
CjJunction Capacitance节电容pF二极管的PN节之间产生的寄生电容的强度,会影响到LED的导通和关闭时间
IDReverse Dark Current光敏二极管暗电流nA在没有光照的条件下,给光敏二极管加上反向电压,此时光敏二极管产生的电流
VOOpen-Circuit Voltage光敏二极管开路电压mV在有足够光照时,光敏二极管两端产生的电压
BVCEOCollector Emitter Breakdown VoltageCE极崩溃电压V光敏三极管集电极和发射极之间能承受的最大电压值
BVECOCollector Emitter Breakdown VoltageEC极崩溃电压V光敏三极管发射极和集电极之间能承受的最大电压值
ICCollector Current集电极电流mA当有光照条件下,给光敏三极管集电极和发射极加上电压后,光敏三极管产生的电流
ICEOCollector Emitter Dark CurrentCE极漏电流nA当无光照条件下,给光敏三极管集电极和发射极加上电压后,光敏三极管产生的漏电流
VISOIsolation Test Voltage绝缘耐压V光电耦合器输入端(初级端)与输出端(次级端)的绝缘电压
Between   Emitter And Detector
RIOInsulation Resistance绝缘阻抗V光电耦合器输入端(初级端)与输出端(次级端)的绝缘电阻值
fcCut-Off Frequency截止频率KHZ当给二极管输入调制信号时,该调制信号的最好频率,超过这个频率,二极管将无法正常工作
VCC、VDDSupply Voltage供应电压VIC类器件需要的工作电压
I2CSupply Current供应电流mAIC类器件能产生的电流
VOOutput Voltage输出电压VIC类器件输出脚位能输出的电压值
IOOutput Current输出电流mAIC类器件输出脚位能输出的电流值
VINInput Voltage输入电压VIC类器件输入脚位允许输入的电压值
VOHHigh Level Output Voltage高电平输出电压VIC类器件高电平对应的输出电压
VOLLow Level Output Voltage低电平输出电压VIC类器件低电平对应的输出电压
VIHHigh Level Input Voltage高电平输入电压VIC类器件高电平对应的输入电压
VILLow Level Input Voltage低电平输入电压VIC类器件低电平对应的输入电压
f0Carrier Frequency载波频率KHZ需要接受载波信号的IC类器件理想的载波频率
VBusI2C Bus Pin VoltageV具有I2C汇流排的产品,给IIC通讯引脚的电压
VIH_SCLI2C Bus Input High Voltage(Clock   Signal)V具有I2C汇流排的产品,输入引脚时钟信号的高电平
VIH_SDAI2C Bus Input High Voltage(Data   Signal)V具有I2C汇流排的产品,输入引脚数据信号的高电平
VIL_SCLI2C Bus Input Low Voltage(Clock   Signal)V具有I2C汇流排的产品,输入引脚时钟信号的低电平
VIL_SDAI2C Bus Input Low Voltage(Data   Signal)V具有I2C汇流排的产品,输入引脚数据信号的低电平
VOL_SDASda Output Low VoltageV串行数据线输出的低电平电压
VOL_INTInt Output Low VoltageV具有I2C汇流排的产品,中断引脚电平的电压
光参数λPPeak Wavelength峰值波长nmLED所发出光对应的最高波长
λDDominant Wavelength主波长nmLED所发出光人眼能感知的波长
ΔλSpectral Bandwidth At   50%半波宽nmLED晶片所发出光,其中光强度为最高光强一半以上的波长范围
Cx/CyChromaticity CoordinateCIE色坐标国际照明委员会提出的标识当前颜色在色坐标中的位置一种坐标图
光电参数ΦLuminous Flux光通量lm光源每秒发出可见光量之总和
IVLuminous Intensity发光强度mcd光源在单位立体角内发出的光通量,也就是光源所发出的光通量在空间选定方向上分布的密度
ΦETotal Radiant Flux辐射通量mW辐射源单位时间内所发出的辐射能
IeRadiant Intensity辐射强度mW/sr立体接受角度内所有波长的辐射能
Ee照度mW/cm2一定接收截面上所有波长的辐射能
η光效lm/w光源发出的光通量除以光源所消耗的功率
CCTCorrelated Color Temperature相关色温K当光源所发出的光的颜色与黑体在某一温度下辐射的颜色接近时,黑体对应的温度就称为该光源的相关色温,单位为K
RaColor Rendering Index显色指数与标准的参考光源相比较,一个光源对物体颜色外貌所产生的效果。
ILReverse Light Current光敏二极管反向光电流uA在有光照,并且给光敏二极管施加反向电压时,二极管产生的电流
ISCShort-Circuit Current光敏二极管短路电流uA在有光照,并且给光敏二极管阳极和阴极短路的情况下,二极管产生的电流
IC(on)On State Collector Current光敏三极管集电极光电流mA在有光照,并且给光敏三极管的集电极和发射极加上正向电压时,集电极与发射极之前的电流
1/2Viewing Angle At 50% IV2倍的半强角°LED发光强度为最大强度一般对应的角度
λSWavelength Of Max Sensitivity最大灵敏度波长nm对于光敏器件,感测度最高的波长值
λ50%Spectral Range Of Sensitivity、灵敏度光谱范围nm对于光敏器件,能使其产生"最大灵敏度波长产生的光电流一半的"电流大小所对应的波长
Range Of Spectral Bandwidth
VCEsatCollector Emitter Saturation VoltageCE极饱和电压V在足够光照时,光敏三极管集电极与发射极之间的饱和电压
L0Transmission Distance、Reception Range0°接收距离m红外接受头在与红外发射管零度角时的接收距离
L45Transmission Distance、Reception Range45°接收距离m红外接受头在与红外发射管45度角时的接收距离
ΦhHalf Angle(Horizontal)水平方向半强角°红外接收头水平方向接受距离为最强接受距离一半时对应的角度
ΦvHalf Angle(Vertical)竖直方向半强角°红外接收头竖直方向接受距离为最强接受距离一半时对应的角度
CTRCurrent Transfer Ratio光电传输比%光电耦合器输出端电流与输入端电流的比值
温度参数TopOperating Temperature工作温度产品能正常工作的温度范围
TstgStorage Temperature储存温度产品储存的温度范围
TsdSoldering TemperatureLED焊接温度LED焊接温度范围
TjJunction Temperature晶片节温晶片PN   节能承受的温度,晶片超过改温度,会导致晶片损坏
时间参数TrRise Time上升沿时间nS、uS光电器件导通时,信号上升沿阶段从10%~90%需要的时间
TfFall Time下降沿时间nS、uS光电器截止通时,信号下降沿阶段从90%~10%需要的时间
TonTurn-On Time接收管完全开启时间nS、uS从信号输入到光电器件完全导通需要的时间
ToffTurn-Off Time接收管完全关断时间nS、uS从信号中断到光电器件完全截止需要的时间
THHigh Level Pulse Width高电平波宽uS一组信号中高电平允许的时间长度
TLLow Level Pulse Width低电平波宽uS一组信号中低电平允许的时间长度
T0H0 CodeHigh-Level Time0码、高电平时间nS、uS单极性归零码的0码高电平允许的时间长度
T0L0 CodeLow-Level Time0码、低电平时间nS、uS单极性归零码的0码低电平允许的时间长度
T1H1 CodeHigh-Level Time1码、高电平时间nS、uS单极性归零码的1码高电平允许的时间长度
T1L1 CodeLow-Level Time1码、低电平时间nS、uS单极性归零码的1码低电平允许的时间长度






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